描述
• SiC功率模块是节能环保的器件
• 维持或提高性能的同时降低了功耗。例如，集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块中的开关损耗显著低于额定值等效的硅基IGBT模块
• 与传统模块不同，这些新型SiC产品支持100kHz以上的高频操作，提高了感应加热用的高频电源和混合动力存储系统等工业设备的效率
• 应用在工业、汽车、铁路以及消费类电子产品等
SKU : 0d857097630e
• SiC（碳化硅）Power Modules
• Package : C Type
• Internal Circuit : Half-Bridge
• Drain-source Voltage[V] : 1200
• Drain Current[A] : 80
• Total Power Dissipation[W] : 600
• Junction Temperature (Max.) [℃] : 175
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