SKU : ef1f85e1a662
分立式碳化硅 MOSFET 通过使用我们的八种行业标准封装（功率范围从 1 kW 到 60 kW），可以灵活升级系统设计，推动面向成本的设计优化。
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• 导通电阻 RDS(ON) @ 25°C : 30 mΩ • 额定电流 : 69 A • 阻断电压 : 1700 V • 最高结点温度 : 175 °C • 封装 : TO-247-3
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