描述

• 650 V/4 A SiC Schottky Barrier Diode, DFN8 x 8
• SiC肖特基势垒二极管（SBD）具有高反向电压额定值。除了提供具有较短反向恢复时间（trr）的SBD外，还提供具有结势垒肖特基（JBS）结构的650 V产品和1200 V 产品，可提供开关电源所需的低泄漏电流（Ir）和高浪涌电流能力。这些器件有助于提高开关电源的效率。