IGBT模块（绝缘栅双极型晶体管模块）是将多个IGBT芯片与快恢复二极管芯片通过特定电路封装集成的功率半导体器件，结合了MOSFET高输入阻抗、易驱动和BJT低导通压降、大电流能力等优点，兼具高频与低损耗特性。主要结构采用多芯片并联及模块化封装，常见拓扑有半桥、全桥、三相桥等，并集成栅极驱动、温度检测、均流电阻等辅助功能。

核心特点：电压控制、驱动功率小，工作频率可达几十kHz，通态压降低、效率高，耐压范围广（600V～6500V），电流等级大（数十至数千安）。

典型应用包括变频器、电焊机、光伏逆变器、新能源电动汽车主驱控制器、高铁牵引、UPS电源、逆变器等。作为电能变换的核心部件，IGBT模块在现代电力电子系统中不可或缺。