• 场截止沟槽型IGBT
• Series : A: For inverter (tsc 7-10μs)
• VCES [V] : 1200
• IC(100°C) [A] : 69
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.6
• tf(Typ.) [ns] : 187
• tsc(Min.) [us] : 10
• Built-in Diode : FRD
• Built-in Diode : FRD
• Package : TO-247-4L