描述
• SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低
• 低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷
• SiC导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点
• 第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻
• 具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。
SKU : 0a575d5e8f99
• SiC（碳化硅）MOSFET
• Package : TO-247-4L
• Drain-source Voltage[V] : 1200
• Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] : 105
• Generation : 3rd Gen (Trench)
• Drain Current[A] : 24
• Total Power Dissipation[W] : 134
• Junction Temperature (Max.) [°C] : 175
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