• 场截止沟槽型IGBT
• Series : TH: High speed SW
• VCES [V] : 650
• IC(100°C) [A] : 40
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.6
• tf(Typ.) [ns] : 47
• tsc(Min.) [us] : –
• Built-in Diode : –
• Built-in Diode : –
• Package : TO-247GE