• 场截止沟槽型IGBT
• Series : S: For inverter (tsc 8-10μs)
• VCES [V] : 1200
• IC(100°C) [A] : 15
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.7
• tf(Typ.) [ns] : 128
• tsc(Min.) [us] : 10
• Built-in Diode : FRD
• Built-in Diode : FRD
• Package : TO-247N