描述
• SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc）
• 低开关损耗且高速开关工作
• 广泛用于电源的PFC电路中
• 与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同
• 碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能
• 制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，适合在功率因数校正电路和逆变器中使用
SKU : 2b6667af52b9
• SiC（碳化硅）肖特基二极管
• Package : TO-263-2L
• Reverse Voltage[V] : 1200
• Continuous Forward Current[A] : 20
• Generation : 2nd Gen
• Total Power Dissipation[W] : 272
• Junction Temperature (Max.) [°C] : 175
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