描述
High Voltage MOSFET产品拥有 Planar Process和Super Junior Process。 SuperJunction MOSFET具有高电力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不仅可实现System的低电力设计，还可实现Low EMI，可便于用户设计。 具备可适用于各种电器的丰富产品 Line up和 Package。
SKU : 8a92585d7ce0
• High Voltage MOSFET
• Package: SOT-23
• Polarity: N
• BVDSS [V]: 600
• ID [A]: 0.021
• PD [W]: 0.5
• RDS(ON) @10V[Ω]: 500
• Qg [nC] : 1.3
• Vth_Min[V] : 1.4
• Vth_MAX[V] : 2.6
• Ciss[pF] : 11.6
• ESD DIODE : Y
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High Voltage MOSFET产品拥有 Planar Process和Super Junior Process。 SuperJunction MOSFET具有高电力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不仅可实现System的低电力设计，还可实现Low EMI，可便于用户设计。 具备可适用于各种电器的丰富产品 Line up和 Package。
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