KU170P04FT2

SKU : 8247430343b1

• High Voltage MOSFET
• Package: TO-220IS
• Polarity: N
• BVDSS [V]: 400
• ID [A]: 4.4
• PD [W]: 37.9
• RDS(ON) @10V[Ω]: 1.6
• Qg [nC] : 5.5
• Vth_Min[V] : 2.5
• Vth_MAX[V] : 4.5
• Ciss[pF] : 310
• ESD DIODE : N

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描述

Low Voltage MOSFET产品拥有常规的 Trench Process和 Split Gate Trench Process。 Split Gate Trench MOSFET不仅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性是它的优点。 这种特性System的小型化、低损耗设计,还支持稳定的设计。 使用不足200V的多种电压群和多种 PDFN类的 Power SMD Packge,拥有可适用于各种电源、电动机等的多种系列。

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