SKU : 1ca62e2b57ec
• Low Voltage MOSFET • Package: DPAK • Polarity: N • BVDSS [V]: 100 • ID [A]: 32 • PD [W]: 39 • RDS(ON) @10V[Ω]: 0.022 • Qg [nC] : 18 • Vth_Min[V] : 2 • Vth_MAX[V] : 4 • Ciss[pF]: 1170 • ESD DIODE: N
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KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率,广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级,满足各应用电压要求,并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。
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