描述
KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率，广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级，满足各应用电压要求，并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。
SKU : 233e76d4aedb
• Low Voltage MOSFET
• Package: ESM
• Polarity: N
• BVDSS [V]: 20
• ID [A]: 0.4
• PD [W]: 0.21
• RDS(ON) @4.5V[Ω] : 0.7
• RDS(ON) @2.5V[Ω] : 0.85
• Qg [nC] : 0.555
• Vth_Min[V] : 0.45
• Vth_MAX[V] : 1
• Ciss[pF]: 43
• ESD DIODE: Y
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KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率，广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级，满足各应用电压要求，并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。
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