KG25N120KDH4

SKU : 00b5af5d14e2

• Low Voltage MOSFET
• Package: ULP-3
• Polarity: P
• BVDSS [V]: -20
• ID [A]: -0.3
• PD [W]: 0.284
• RDS(ON) @4.5V[Ω] : 1.2
• RDS(ON) @2.5V[Ω] : 1.6
• Qg [nC] : 1.5
• Vth_Min[V] : -0.45
• Vth_MAX[V] : -1
• Ciss[pF]: 55
• ESD DIODE: Y

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描述

KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率,广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级,满足各应用电压要求,并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。

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