SKU : 278a7b2ae00e
• Package: VSM • Polarity: P • BVDSS [V]: -30 • ID [A]: -0.05 • PD [W]: 0.1 • RDS(ON) @2.5V[Ω] : 40 • Vth_Min[V] : -0.5 • Vth_MAX[V] : -1.5 • Ciss[pF] : 10.4 • ESD DIODE: Y • S-MOSFET
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Low Voltage MOSFET产品拥有常规的 Trench Process和 Split Gate Trench Process。 Split Gate Trench MOSFET不仅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性是它的优点。 这种特性System的小型化、低损耗设计,还支持稳定的设计。 使用不足200V的多种电压群和多种 PDFN类的 Power SMD Packge,拥有可适用于各种电源、电动机等的多种系列。
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