描述
Low Voltage MOSFET产品拥有常规的 Trench Process和 Split Gate Trench Process。 Split Gate Trench MOSFET不仅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性是它的优点。 这种特性System的小型化、低损耗设计，还支持稳定的设计。 使用不足200V的多种电压群和多种 PDFN类的 Power SMD Packge，拥有可适用于各种电源、电动机等的多种系列。
SKU : 72ed1995901c
• Package: TO-247
• Built in Diode: Y
• VCES[V]: 650
• VGES[V]: ±20
• IC@25[℃]: 120
• IC@100[℃]: 60
• ICM[A] : 240
• IF[A] : 120
• PD@25[W] : 384.6
• TJ[℃] : 175
• VGE(th)_MIN [V] : 4.5
• VGE(th)_MAX [V]: 6.5
• VCE(sat)[V]: 1.74
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Low Voltage MOSFET产品拥有常规的 Trench Process和 Split Gate Trench Process。 Split Gate Trench MOSFET不仅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性是它的优点。 这种特性System的小型化、低损耗设计，还支持稳定的设计。 使用不足200V的多种电压群和多种 PDFN类的 Power SMD Packge，拥有可适用于各种电源、电动机等的多种系列。
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