描述
High Voltage MOSFET产品拥有 Planar Process和Super Junior Process。 SuperJunction MOSFET具有高电力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不仅可实现System的低电力设计，还可实现Low EMI，可便于用户设计。 具备可适用于各种电器的丰富产品 Line up和 Package。
SKU : 6a5a0f4f42af
• Package: TO-247
• Built in Diode: Y
• VCES[V]: 1200
• VGES[V]: ±20
• IC@25[℃]: 80
• IC@100[℃]: 40
• ICM[A] : 160
• IF[A] : 80
• PD@25[W] : 600
• TJ[℃] : 175
• VGE(th)_MIN [V] : 4.8
• VGE(th)_MAX [V]: 6.8
• VCE(sat)[V]: 1.95
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High Voltage MOSFET产品拥有 Planar Process和Super Junior Process。 SuperJunction MOSFET具有高电力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不仅可实现System的低电力设计，还可实现Low EMI，可便于用户设计。 具备可适用于各种电器的丰富产品 Line up和 Package。
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