SKU : c50a21fb55f3
• SiC MOSFET Discrete • VGS(th) (V) Typ: 3.1 • VGS (V): -4/+18 • ID (A) @100°C: 110 • ID (A) @25°C: 160 • RDS (on) (mΩ) Max: 19 • RDS (on) (mΩ) Typ: 14 • BVDSS (V): 1200
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