描述
• Type: IGBT+Diode
• BVce (V): 1350
• Ic (A) Tc=100℃: 20
• If (A) Tc=100℃: /
• Vge (th) (V): 3.50~7.50
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.8
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.2
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.95
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.3
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 360





