描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 1200
• Ic (A) Tc=100℃: 25
• If (A) Tc=100℃: 25
• Vge (th) (V): 3.00~7.20
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.95
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.9
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 2.35
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.6
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 62