描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 650
• Ic (A) Tc=100℃: 30
• If (A) Tc=100℃: 5
• Vge (th) (V): 3.10~5.00
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.6
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.1
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.4
• Vfm max (V) Tc=25℃: 1.8
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 31