描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 750
• Ic (A) Tc=100℃: 120
• If (A) Tc=100℃: 120
• Vge (th) (V): 3.40~5.10
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.48
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 1.9
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.62
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 95