描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 1200
• Ic (A) Tc=100℃: 83
• If (A) Tc=100℃: 83
• Vge (th) (V): 4.00~7.00
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.62
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.5
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 3
• Vfm max (V) Tc=25℃: 3.7
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 45