描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 750
• Ic (A) Tc=100℃: 125
• If (A) Tc=100℃: 200
• Vge (th) (V): 2.20~6.30
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.46
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.3
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.38
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.1
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 100