描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 750
• Ic (A) Tc=100℃: 120
• If (A) Tc=100℃: 120
• Vge (th) (V): 4.50~6.50
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.38
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 1.8
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.65
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.2
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 100