描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 650
• Ic (A) Tc=100℃: 65
• If (A) Tc=100℃: 30
• Vge (th) (V): 3.30~7.10
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.68
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.5
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.95
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.5
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 66