描述

•  商品特性
– 超低电压核心和 I/O 电源
– VDD1 = 1.70 – 1.95 V；标称值 1.80 V
– VDD2 = 1.06 – 1.17 V；标称值 1.10 V
– VDDQ = 1.06 – 1.17 V；标称值 1.10 V 或低 VDDQ = 0.57 – 0.65 V – 标称值 0.60 V
– 频率范围 2133 – 10 MHz（数据速率范围：4266 – 20 Mb/s/引脚）
– 16n 预取 DDR 架构
– 每个通道有 8 个内部存储体用于并发操作
– 单数据速率 CMD/ADR 输入
– 每个字节通道有双向/差分数据选通
– 可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
– 可编程且可实时调整的突发长度（BL = 16, 32）
– 针对每个存储体的定向刷新，便于并发存储体操作和命令调度
– 每个芯片最高可达 8.5 GB/s
– 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
– 部分阵列自刷新（PASR）
– 可选输出驱动强度（DS）
– 时钟停止功能
– 符合 RoHS 标准的“绿色”封装
– 可编程 VSS（ODT）终端
– VDD1 / VDD2 / VDDQ：1.80 V / 1.10 V / 1.10 V 或 0.60 V
– 阵列配置：256 Meg × 16（1 通道 × 16 I/O）；256 Meg × 32（2 通道 × 16 I/O）
– 设备配置：256M16 × 1 芯片封装 D1；256M16 × 2 芯片封装 D2
– FBGA“绿色”封装：200 球 WFBGA（10mm × 14.5mm × DS 0.8mm，Ø0.35 SMD）；200 球 TFBGA（10mm × 14.5mm × FW 1.1mm，Ø0.40 SMD）
– 速度等级，周期时间：535ps @ RL = 32/36 -053；468ps @ RL = 36/40 -046
– 工作温度范围：-30°C 到 +85°C；-40°C 到 +95°C
– 版本：B