SKU : 4a424c287c27
• VDSS(V)：1200 • RDS(on)（mΩ）：3.7 • ID(A)：840 • Eon(mJ) @25℃：26.63 • Eoff(mJ) @25℃：42.76 • Topology：六单元 • Package：V205D6A
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SiC MOSFET模块，主要应用在电源、DC-DC转换模组、电机控制和汽车电子等领域。能实现最佳性能、提高效率和优化热性能。
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