BMSE013TN4D – 正品15年

BMSE013TN4D

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• VDSS(V)：40
• RDS(on)（mΩ）：1.3
• ID(A)：200
• VGS(th)(V)：2.0~4.0
• TJ(℃)：-55~175
• Package：PDFN5*6-8L

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描述

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屏蔽栅沟槽MOSFET，主要应用在电源、DC-DC转换模组、电机控制和汽车电子等领域。能实现最佳性能、提高效率和优化热性能。