BSPE80S120HN – 正品15年

BSPE80S120HN

BSPE80S120HN

SKU : c534cf83ec6d

• VDSS(V)：1200
• RDS(on)（mΩ）：60
• ID(A)：34
• Eon(mJ) @25℃：0.89
• Eoff(mJ) @25℃：0.14
• Topology：半桥
• Package：SOP-9

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描述

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SiC MOSFET模块，主要应用在电源、DC-DC转换模组、电机控制和汽车电子等领域。能实现最佳性能、提高效率和优化热性能。