SKU : 3e4b2280d53b
碳化硅功率模块 采用我们符合行业标准封装和针对碳化硅优化封装的功率模块，可提高系统级效率，缩小系统尺寸并减轻重量。这些模块专为严苛的高电压环境而开发。
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• 导通电阻 RDS(ON) @ 25°C : 175 °C • 额定电流 : 1.33 mΩ • 阻断电压 : 1200 V • 最高结点温度 : 110 x 65 x 12.2 mm • 配置 : Half-Bridge Right GK for Paralleling
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