SKU : b2910abd8706
• SiC MOSFET Discrete • VGS(th) (V) Typ: 2.7 • VGS (V): -4/+15 • ID (A) @100°C: 47 • ID (A) @25°C: 67 • RDS (on) (mΩ) Max: 48 • RDS (on) (mΩ) Typ: 38 • BVDSS (V): 1200
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