描述
KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率，广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级，满足各应用电压要求，并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。
SKU : 6f2c369dc1f3
• High Voltage MOSFET
• Package: DPAK
• Polarity: N
• BVDSS [V]: 200
• ID [A]: 3.6
• PD [W]: 31
• RDS(ON) @10V[Ω]: 1.15
• Qg [nC] : 2.9
• Vth_Min[V] : 1
• Vth_MAX[V] : 2
• Ciss[pF] : 170
• ESD DIODE : N
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KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率，广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级，满足各应用电压要求，并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。
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