SKU : 7de6cb3e8cbf
• Low Voltage MOSFET • Package: PDFN56 • Polarity: P • BVDSS [V]: -30 • ID [A]: -70 • PD [W]: 80 • RDS(ON) @10V[Ω]: 0.008 • RDS(ON) @4.5V[Ω] : 0.01 • Qg [nC] : 42 • Vth_Min[V] : -1 • Vth_MAX[V] : -2 • Ciss[pF]: 4810 • ESD DIODE: N
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KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率,广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级,满足各应用电压要求,并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。
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