SKU : b8807df7cb36
• Low Voltage MOSFET • Package: DFN22D • Polarity: N • BVDSS [V]: 100 • ID [A]: 0.22 • PD [W]: 0.69 • RDS(ON) @10V[Ω]: 6 • RDS(ON) @4.5V[Ω] : 10 • Qg [nC] : 0.65 • Vth_Min[V] : 1 • Vth_MAX[V] : 2.5 • Ciss[pF]: 20 • ESD DIODE: Y
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KEC的IGBT解决方案可以通过低电力损失提供高系统效率,广泛应用于消费者家电、产业及汽车等领域。 KEC的IGBT产品提供600V至1350V的多种电压等级,满足各应用电压要求,并支持SMD及Through Hole套装等多种包装。
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