描述
High Voltage MOSFET产品拥有 Planar Process和Super Junior Process。 SuperJunction MOSFET具有高电力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不仅可实现System的低电力设计，还可实现Low EMI，可便于用户设计。 具备可适用于各种电器的丰富产品 Line up和 Package。
SKU : 5ead2b26ae4d
• Low Voltage MOSFET
• Package: DPAK(3)
• Polarity: P
• BVDSS [V]: -40
• ID [A]: -39.5
• PD [W]: 44.6
• RDS(ON) @10V[Ω]: 0.017
• RDS(ON) @4.5V[Ω] : 0.025
• Qg [nC] : 51
• Vth_Min[V] : -1
• Vth_MAX[V] : -3
• Ciss[pF]: 2600
• ESD DIODE: N
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High Voltage MOSFET产品拥有 Planar Process和Super Junior Process。 SuperJunction MOSFET具有高电力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不仅可实现System的低电力设计，还可实现Low EMI，可便于用户设计。 具备可适用于各种电器的丰富产品 Line up和 Package。
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