SKU : dc6dfda6550e
• High Voltage MOSFET • Package: DPAK • Polarity: N • BVDSS [V]: 500 • ID [A]: 4.3 • PD [W]: 59.5 • RDS(ON) @10V[Ω]: 1.4 • Qg [nC] : 12 • Vth_Min[V] : 2.5 • Vth_MAX[V] : 4.5 • Ciss[pF] : 430 • ESD DIODE : Y
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Low Voltage MOSFET产品拥有常规的 Trench Process和 Split Gate Trench Process。 Split Gate Trench MOSFET不仅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性是它的优点。 这种特性System的小型化、低损耗设计,还支持稳定的设计。 使用不足200V的多种电压群和多种 PDFN类的 Power SMD Packge,拥有可适用于各种电源、电动机等的多种系列。
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