• 场截止沟槽型IGBT
• Series : A: For inverter (tsc 7-10μs)
• VCES [V] : 650
• IC(100°C) [A] : 60
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.55
• tf(Typ.) [ns] : 77
• tsc(Min.) [us] : 7
• Built-in Diode : –
• Built-in Diode : –
• Package : TO-247N