• 场截止沟槽型IGBT
• Series : H: High speed SW
• VCES [V] : 1200
• IC(100°C) [A] : 79
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.75
• tf(Typ.) [ns] : 112
• tsc(Min.) [us] : –
• Built-in Diode : FRD
• Built-in Diode : FRD
• Package : TO-247-4L