• 场截止沟槽型IGBT
• Series : T: For inverter (tsc 5μs)
• VCES [V] : 650
• IC(100°C) [A] : 4
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.65
• tf(Typ.) [ns] : 71
• tsc(Min.) [us] : 5
• Built-in Diode : FRD
• Built-in Diode : FRD
• Package : TO-262