描述
沟槽栅、薄晶圆、低VCE(sat）、低开关损耗的IGBT产品
SKU : 92dd7ff89b4e
• 场截止沟槽型IGBT
• Series : TH: High speed SW
• VCES [V] : 650
• IC(100°C) [A] : 14
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.6
• tf(Typ.) [ns] : 48
• tsc(Min.) [us] : –
• Built-in Diode : FRD
• Built-in Diode : FRD
• Package : TO-3PFM
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