• 场截止沟槽型IGBT
• Series : W: High speed fast SW
• VCES [V] : 650
• IC(100°C) [A] : 26
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.5
• tf(Typ.) [ns] : 33
• tsc(Min.) [us] : –
• Built-in Diode : FRD
• Built-in Diode : FRD
• Package : TO-3PFM