• 场截止沟槽型IGBT
• Series : WS:High speed SW, cost effective
• VCES [V] : 650
• IC(100°C) [A] : 50
• VCE(sat)(Typ.) [V] : 1.6
• tf(Typ.) [ns] : 38
• tsc(Min.) [us] : –
• Built-in Diode : –
• Built-in Diode : –
• Package : TO-247GE