描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 1200
• Ic (A) Tc=100℃: 25
• If (A) Tc=100℃: 12.5
• Vge (th) (V): 4.70~7.80
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 2.2
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.7
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 2.8
• Vfm max (V) Tc=25℃: 3.1
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 67