描述

• Technology: Planar
• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 600
• Ic (A) Tc=100℃: 40
• Vge (th) (V): 4.00~6.50
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.8
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.7
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.9
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.6
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 32