描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 650
• Ic (A) Tc=100℃: 63
• If (A) Tc=100℃: 63
• Vge (th) (V): 4.60~6.40
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.53
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 1.9
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.7
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.1
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 119