描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 650
• Ic (A) Tc=100℃: 75
• If (A) Tc=100℃: 75
• Vge (th) (V): 3.20~4.80
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.42
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 1.85
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.55
• Vfm max (V) Tc=25℃: 1.9
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 123