描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 1200
• Ic (A) Tc=100℃: 80
• If (A) Tc=100℃: 80
• Vge (th) (V): 3.90~7.20
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.65
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.4
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 3.3
• Vfm max (V) Tc=25℃: 3.8
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 56