描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 750
• Ic (A) Tc=100℃: 200
• If (A) Tc=100℃: 200
• Vge (th) (V): 4.00~6.80
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.45
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 1.9
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.72
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.3
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 144