描述

• Type: IGBT＋Diode
• BVce (V): 1200
• Ic (A) Tc=100℃: 56
• If (A) Tc=100℃: 46
• Vge (th) (V): 4.30~7.20
• Vce (sat) typ (V) Tc=25℃: 1.72
• Vce (sat) max (V) Tc=25℃: 2.5
• Vfm typ (V) Tc=25℃: 1.58
• Vfm max (V) Tc=25℃: 2.4
• Trr typ (ns) Tc=25℃: 154